Lunes, 05 de febrero de 2007
Un wafer de 300 mm con los prototipos de la tecnolog?a de 45 nm.
Dos nuevos materiales permiten a Intel el avance m?s importante en fabricaci?n de chips en los ?ltimos 40 a?os, lo que facilitar? la producci?n de procesadores m?s r?pidos que consumen menos energ?a.




Intel anunci? el avance m?s importante en tecnolog?a de semiconductores desde que introdujo la tecnolog?a CMOS a principios de los 60. Al mismo tiempo, reducir? el tama?o de los componentes del chip al pasar de la t?cnica actual de 65 nan?metros a 45 nan?metros.

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Un wafer de 300 mm con los prototipos de la tecnolog?a de 45 nm.

Al resumir los beneficios de los nuevos materiales --un diel?ctrico con alta capacidad para retener carga el?ctrica y una compuerta met?lica-- y del nuevo proceso de fabricaci?n de 45 nm, Intel asegura que la densidad de transistores en el chip se duplicar?, mientras que el consumo de energ?a de los transistores conmutan de un estado a otro se reducir? en un 30%.

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En esta l?mina, Intel ilustra las novedades en los transistores. Las zonas coloreadas indican las porciones met?licas y de diel?ctrico introducidas que aseguran una mejora notable del rendimiento y reducci?n de las fugas


La velocidad de conmutaci?n tambi?n ser? mayor (m?s del 20%) que en los procesadores vigentes, a lo que se suma una reducci?n de las fugas de corriente en un factor de 5. Debido a lo delgado del componente diel?ctrico de las compuertas de los transistores (s?lo 5 ?tomos de espesor en el caso de la tecnolog?a de 65 nan?metros) parte de la corriente que fluye cuando el transistor est? encendido se fuga a trav?s del diel?ctrico.

Una constante k alta --la letra griega kappa designa la capacidad del diel?ctrico de la compuerta-- permite mayor capacidad aislante, o menores fugas. De all? el t?rmino "high-k" usado por Intel para designar esta tecnolog?a.

Para fines de comparaci?n, cerca de 400 transistores de 45 nm de Intel podr?an alojarse en la superficie de un gl?bulo rojo humano. Hace tan s?lo una d?cada, la tecnolog?a de proceso de vanguardia era de 250 nm, lo que significa que las dimensiones de los transistores eran aproximadamente 5.5 veces mayores en tama?o y 30 veces mayores en ?rea ocupada que los transistores de la tecnolog?a que est? anunciando Intel.


Por su parte, IBM tambi?n anunci? que ha logrado un gran avance en el desarrollo de la compuerta "hig-k metal", en trabajo conjunto con AMD, Sony y Toshiba, para producir una nueva generaci?n del chip cell, con 45 nm en 2008.




::: FUENTE: "ENBYTES" :::
www.enbytes.com

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Publicado por zameex @ 10:35 AM  | [email protected]
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